IXFT28N50Q

Numărul de produs al producătorului:

IXFT28N50Q

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXFT28N50Q-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 500V 28A TO268

Descriere detaliată:

N-Channel 500 V 28A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-268AA

Inventar:

RFQ Online

12822104

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IXFT28N50Q Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Littelfuse

Ambalare

-

Serie

HiPerFET™, Q Class

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

500 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

28A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 4mA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

94 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

3000 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

375W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet dispozitiv furnizor

TO-268AA

Pachet / Carcasă

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Numărul de bază al produsului

IXFT28

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

1

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

infineon-technologies

IRL8113PBF

MOSFET N-CH 30V 105A TO220AB

littelfuse

IXFP3N80

MOSFET N-CH 800V 3.6A TO220AB

littelfuse

IXFH320N10T2

MOSFET N-CH 100V 320A TO247AD

littelfuse

IXFV74N20P

MOSFET N-CH 200V 74A PLUS220