Numărul de produs al producătorului:
IXFT170N25X3HV
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFT170N25X3HV-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 250V 170A TO268HV
Descriere detaliată:
N-Channel 250 V 170A (Tc) 960W (Tc) Surface Mount TO-268HV (IXFT)
Inventar:
12819004
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFT170N25X3HV Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X3
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7.4mOhm @ 85A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
13500 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
960W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-268HV (IXFT)
Pachet / Carcasă
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Numărul de bază al produsului
IXFT170
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
MKE38P600LB-TRR
MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
IXFN24N90Q
MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B
IXFN20N120
MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
