Numărul de produs al producătorului:
IXFT12N100F
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFT12N100F-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
Descriere detaliată:
N-Channel 1000 V 12A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268
Inventar:
12863506
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFT12N100F Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
HiPerRF™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.05Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2700 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-268
Pachet / Carcasă
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Numărul de bază al produsului
IXFT12
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STW11NK100Z
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STW11NK100Z-DG
PREȚ UNIC
3.17
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IXFT15N100Q3
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFT15N100Q3-DG
PREȚ UNIC
12.43
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFB13N50APBF
MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB
IRFBC40LC
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
UPD703014BGC-A33-8EU-A
MOSFET N-CH