Numărul de produs al producătorului:
IXFT12N100
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFT12N100-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
Descriere detaliată:
N-Channel 1000 V 12A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Inventar:
12821175
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFT12N100 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
HiPerFET™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.05Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4000 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-268AA
Pachet / Carcasă
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Numărul de bază al produsului
IXFT12
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXFT15N100Q3
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFT15N100Q3-DG
PREȚ UNIC
12.43
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXFT20N100P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFT20N100P-DG
PREȚ UNIC
9.65
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTT26N50P
MOSFET N-CH 500V 26A TO268
IXFH12N120
MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD
IXFX25N90
MOSFET N-CH 900V 25A PLUS247-3
