Numărul de produs al producătorului:
IXFR80N50Q3
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFR80N50Q3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 50A (Tc) 570W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Inventar:
2 Piese Noi Originale În Stoc
12821278
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFR80N50Q3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Q3 Class
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
72mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 8mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
10000 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
570W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
ISOPLUS247™
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IXFR80
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFP7N100P
MOSFET N-CH 1000V 7A TO220AB
IXTA60N10T
MOSFET N-CH 100V 60A TO263
IXFH34N50P3
MOSFET N-CH 500V 34A TO247AD
