IXFR58N20

Numărul de produs al producătorului:

IXFR58N20

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXFR58N20-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 200V 50A ISOPLUS247

Descriere detaliată:

N-Channel 200 V 50A (Tc) 300W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™

Inventar:

RFQ Online

12819132

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IXFR58N20 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Littelfuse

Ambalare

-

Serie

HiPerFET™

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

200 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

50A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 29A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 4mA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

140 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

3600 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

300W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

ISOPLUS247™

Pachet / Carcasă

TO-247-3

Numărul de bază al produsului

IXFR58

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

littelfuse

IXTH32P20T

MOSFET P-CH 200V 32A TO247

IXFB30N120Q2

MOSFET N-CH 1200V 30A ISOPLUS264

littelfuse

IXTP70N085T

MOSFET N-CH 85V 70A TO220AB

littelfuse

IXTA90N055T2

MOSFET N-CH 55V 90A TO263