Numărul de produs al producătorului:
IXFR10N100Q
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFR10N100Q-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247
Descriere detaliată:
N-Channel 1000 V 9A (Tc) 250W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Inventar:
12819726
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFR10N100Q Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
HiPerFET™, Q Class
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2900 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
ISOPLUS247™
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IXFR10
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STW6N95K5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
280
DiGi NUMĂR DE PARTE
STW6N95K5-DG
PREȚ UNIC
1.17
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTY06N120P
MOSFET N-CH 1200V 90A TO252
IXTP76P10T
MOSFET P-CH 100V 76A TO220AB
IXTQ450P2
MOSFET N-CH 500V 16A TO3P
