Numărul de produs al producătorului:
IXFQ8N85X
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFQ8N85X-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 850V 8A TO3P
Descriere detaliată:
N-Channel 850 V 8A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventar:
13270663
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFQ8N85X Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
850 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
850mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
654 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
200W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3P
Pachet / Carcasă
TO-3P-3, SC-65-3
Numărul de bază al produsului
IXFQ8N85
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
238-IXFQ8N85X
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFA72N30X3-TRL
MOSFET N-CH 300V 72A TO263
IXTA20N65X-TRL
MOSFET N-CH 650V 20A TO263
IXTP30N25L2
MOSFET N-CH 250V 30A TO220AB
