Numărul de produs al producătorului:
IXFQ60N60X
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFQ60N60X-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 60A TO3P
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 60A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventar:
12821129
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFQ60N60X Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
HiPerFET™, Ultra X
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
55mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
143 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5800 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
890W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3P
Pachet / Carcasă
TO-3P-3, SC-65-3
Numărul de bază al produsului
IXFQ60
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFA20N50P3
MOSFET N-CH 500V 20A TO263
IXFP38N30X3M
MOSFET N-CH 300V 38A TO220
IXFT30N50P
MOSFET N-CH 500V 30A TO268
