Numărul de produs al producătorului:
IXFQ60N25X3
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFQ60N25X3-DG
Descriere:
MOSFET N-CHANNEL 250V 60A TO3P
Descriere detaliată:
N-Channel 250 V 60A (Tc) 320W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventar:
3 Piese Noi Originale În Stoc
12819742
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFQ60N25X3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X3
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3610 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
320W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3P
Pachet / Carcasă
TO-3P-3, SC-65-3
Numărul de bază al produsului
IXFQ60
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IXFQ60N25X3-DG
238-IXFQ60N25X3
-1402-IXFQ60N25X3
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFA7N100P
MOSFET N-CH 1000V 7A TO263
IXKP20N60C5M
MOSFET N-CH 600V 7.6A TO220ABFP
IXTA1N200P3HV
MOSFET N-CH 2000V 1A TO263
