Numărul de produs al producătorului:
IXFP56N30X3M
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFP56N30X3M-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 300V 56A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 300 V 56A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Inventar:
141 Piese Noi Originale În Stoc
12909639
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
PtaS
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFP56N30X3M Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X3
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
300 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
27mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3750 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
36W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220 Isolated Tab
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numărul de bază al produsului
IXFP56
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF840S
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
IXTP08N50D2
MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB
IXFN80N60P3
MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B