Numărul de produs al producătorului:
IXFN52N90P
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFN52N90P-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 900V 43A SOT227
Descriere detaliată:
N-Channel 900 V 43A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventar:
12821201
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFN52N90P Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
900 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
43A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
308 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
19000 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
890W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-227B
Pachet / Carcasă
SOT-227-4, miniBLOC
Numărul de bază al produsului
IXFN52
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
10
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTH22N50P
MOSFET N-CH 500V 22A TO247
IXTA1R6N100D2HV
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263HV
IXFP72N30X3M
MOSFET N-CH 300V 72A TO220
