Numărul de produs al producătorului:
IXFN360N15T2
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFN360N15T2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 150V 310A SOT227B
Descriere detaliată:
N-Channel 150 V 310A (Tc) 1070W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventar:
20 Piese Noi Originale În Stoc
12821435
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFN360N15T2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, TrenchT2™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
150 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
310A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
715 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
47500 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1070W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-227B
Pachet / Carcasă
SOT-227-4, miniBLOC
Numărul de bază al produsului
IXFN360
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
10
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTA08N120P
MOSFET N-CH 1200V 800MA TO263
IXTP6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB
IXTQ60N30T
MOSFET N-CH 300V 60A TO3P
