Numărul de produs al producătorului:
IXFN27N80
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFN27N80-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 27A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventar:
12821875
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFN27N80 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 15V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
400 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
9740 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
520W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-227B
Pachet / Carcasă
SOT-227-4, miniBLOC
Numărul de bază al produsului
IXFN27
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
Q1653251
468185
IXFN27N80-NDR
Pachet standard
10
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXFN32N80P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFN32N80P-DG
PREȚ UNIC
18.81
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
APT8030JVFR
PRODUCĂTOR
Microchip Technology
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
APT8030JVFR-DG
PREȚ UNIC
31.00
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTH7P50
MOSFET P-CH 500V 7A TO247
IXFP76N15T2
MOSFET N-CH 150V 76A TO220AB
IXTQ62N25T
MOSFET N-CH 250V 62A TO3P
