Numărul de produs al producătorului:
IXFN24N100F
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFN24N100F-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B
Descriere detaliată:
N-Channel 1000 V 24A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventar:
12808662
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFN24N100F Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
HiPerRF™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
390mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 8mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
195 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6600 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
600W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-227B
Pachet / Carcasă
SOT-227-4, miniBLOC
Numărul de bază al produsului
IXFN24
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
10
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
CPC3730CTR
MOSFET N-CH 350V SOT89
TN2510N8-G
MOSFET N-CH 100V 730MA TO243AA
IRL60SL216
MOSFET N-CH 60V 195A TO262-3
