IXFN210N30X3

Numărul de produs al producătorului:

IXFN210N30X3

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXFN210N30X3-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 300V 210A SOT227B

Descriere detaliată:

N-Channel 300 V 210A (Tc) 695W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

Inventar:

56 Piese Noi Originale În Stoc

12821955

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

IXFN210N30X3 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Littelfuse

Ambalare

Tube

Serie

HiPerFET™, Ultra X3

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

300 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

210A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

4.6mOhm @ 105A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 8mA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

375 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

24200 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

695W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Chassis Mount

Pachet dispozitiv furnizor

SOT-227B

Pachet / Carcasă

SOT-227-4, miniBLOC

Numărul de bază al produsului

IXFN210

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML

IXFN210N30X3-DG

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard

10

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

littelfuse

IXFC22N60P

MOSFET N-CH 600V 12A ISOPLUS220

littelfuse

IXTP88N085T

MOSFET N-CH 85V 88A TO220AB

littelfuse

VMO60-05F

MOSFET N-CH 500V 60A TO240AA

littelfuse

IXFN32N60

MOSFET N-CH 600V 32A SOT227B