Numărul de produs al producătorului:
IXFN180N07
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFN180N07-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B
Descriere detaliată:
N-Channel 70 V 180A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventar:
12821727
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFN180N07 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
HiPerFET™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
70 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
480 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
9000 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
520W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-227B
Pachet / Carcasă
SOT-227-4, miniBLOC
Numărul de bază al produsului
IXFN180
Informații suplimentare
Pachet standard
10
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXFN360N10T
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFN360N10T-DG
PREȚ UNIC
16.71
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFH10N80P
MOSFET N-CH 800V 10A TO247AD
IXFY36N20X3
MOSFET N-CH 200V 36A TO252AA
IXKC20N60C
MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220
