Numărul de produs al producătorului:
IXFN140N20P
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFN140N20P-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 115A (Tc) 680W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventar:
12821636
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFN140N20P Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
115A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 15V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
7500 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
680W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-227B
Pachet / Carcasă
SOT-227-4, miniBLOC
Numărul de bază al produsului
IXFN140
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
10
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTH80N65X2
MOSFET N-CH 650V 80A TO247
IXTP100N15X4
MOSFET N-CH 150V 100A TO220
IXTA3N100D2HV
MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV
