Numărul de produs al producătorului:
IXFN132N50P3
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFN132N50P3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 112A SOT227B
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 112A (Tc) 1500W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventar:
539 Piese Noi Originale În Stoc
12820089
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFN132N50P3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar3™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
112A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
39mOhm @ 66A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
18600 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1500W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-227B
Pachet / Carcasă
SOT-227-4, miniBLOC
Numărul de bază al produsului
IXFN132
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
10
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTA4N150HV
MOSFET N-CH 1500V 4A TO263
IXTQ30N50L
MOSFET N-CH 500V 30A TO3P
IXFQ72N20X3
MOSFET N-CH 200V 72A TO3P
