Numărul de produs al producătorului:
IXFN100N10S1
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFN100N10S1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 360W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventar:
12821587
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFN100N10S1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
HiPerFET™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4500 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
360W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-227B
Pachet / Carcasă
SOT-227-4, miniBLOC
Numărul de bază al produsului
IXFN100
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
10
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
APT10M11JVRU2
PRODUCĂTOR
Microchip Technology
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
APT10M11JVRU2-DG
PREȚ UNIC
30.73
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXFN360N10T
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFN360N10T-DG
PREȚ UNIC
16.71
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFH160N15T
MOSFET N-CH 150V 160A TO247AD
IXFH18N60X
MOSFET N-CH 600V 18A TO247
AUIRF1404S
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
