Numărul de produs al producătorului:
IXFK80N60P3
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFK80N60P3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 80A TO264AA
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 80A (Tc) 1300W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Inventar:
724 Piese Noi Originale În Stoc
12820562
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFK80N60P3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar3™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
13100 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-264AA (IXFK)
Pachet / Carcasă
TO-264-3, TO-264AA
Numărul de bază al produsului
IXFK80
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
25
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTH20N60
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
IXUV170N075S
MOSFET N-CH 75V 175A PLUS-220SMD
IXFQ50N60X
MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
