IXFK26N90
Numărul de produs al producătorului:

IXFK26N90

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXFK26N90-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 900V 26A TO-264
Descriere detaliată:
N-Channel 900 V 26A (Tc) 560W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)

Inventar:

12909673
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IXFK26N90 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
900 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
10800 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
560W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-264AA (IXFK)
Pachet / Carcasă
TO-264-3, TO-264AA
Numărul de bază al produsului
IXFK26

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard
25

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
IXFK40N90P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
235
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFK40N90P-DG
PREȚ UNIC
17.53
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

IRFR1N60ATRRPBF

MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK

vishay-siliconix

IRFL110TR

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223

vishay-siliconix

IRL3202L

MOSFET N-CH 20V 48A TO262-3

vishay-siliconix

IRFI730G

MOSFET N-CH 400V 3.7A TO220-3