IXFK25N90
Numărul de produs al producătorului:

IXFK25N90

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXFK25N90-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 900V 25A TO264AA
Descriere detaliată:
N-Channel 900 V 25A (Tc) 560W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)

Inventar:

12909210
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IXFK25N90 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
HiPerFET™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
900 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
330mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
10800 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
560W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-264AA (IXFK)
Pachet / Carcasă
TO-264-3, TO-264AA
Numărul de bază al produsului
IXFK250

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard
25

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
IXFK40N90P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
235
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFK40N90P-DG
PREȚ UNIC
17.53
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

IRLR014PBF

MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK

vishay-siliconix

IRLI630G

MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220-3

littelfuse

IXTK120N25

MOSFET N-CH 250V 120A TO264

vishay-siliconix

IRF710STRLPBF

MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK