Numărul de produs al producătorului:
IXFK250N10P
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFK250N10P-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 250A TO264AA
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 250A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Inventar:
28 Piese Noi Originale În Stoc
12819572
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFK250N10P Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
250A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
205 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
16000 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-264AA (IXFK)
Pachet / Carcasă
TO-264-3, TO-264AA
Numărul de bază al produsului
IXFK250
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
25
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFH44N50P
MOSFET N-CH 500V 44A TO247AD
VMO1200-01F
MOSFET N-CH 100V 1220A Y3-LI
IXFR9N80Q
MOSFET N-CH 800V ISOPLUS247
