Numărul de produs al producătorului:
IXFK170N20T
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFK170N20T-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 170A TO264AA
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 170A (Tc) 1150W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Inventar:
5571 Piese Noi Originale În Stoc
12821455
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFK170N20T Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Trench
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
265 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
19600 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-264AA (IXFK)
Pachet / Carcasă
TO-264-3, TO-264AA
Numărul de bază al produsului
IXFK170
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
25
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXKC40N60C
MOSFET N-CH 600V 28A ISOPLUS220
IXFE44N60
MOSFET N-CH 600V 41A SOT-227B
IXTH2R4N120P
MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO247
