Numărul de produs al producătorului:
IXFJ80N25X3
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFJ80N25X3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 250V 44A ISO TO247-3
Descriere detaliată:
N-Channel 250 V 44A (Tc) 104W (Tc) Through Hole ISO TO-247-3
Inventar:
1 Piese Noi Originale În Stoc
12819602
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFJ80N25X3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X3
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
44A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5430 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
104W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
ISO TO-247-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IXFJ80
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
-IXFJ80N25X3
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFP4768PBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
2632
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFP4768PBF-DG
PREȚ UNIC
3.59
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTP32N20T
MOSFET N-CH 200V 32A TO220AB
IXFX52N100X
MOSFET N-CH 1000V 52A PLUS247
IXTH26N60P
MOSFET N-CH 600V 26A TO247
