Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IXFH80N65X2
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFH80N65X2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 80A TO247
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 80A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventar:
RFQ Online
12821231
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFH80N65X2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X2
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
143 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
8245 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
890W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247 (IXTH)
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IXFH80
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IXFH80N65X2-DG
Fișe tehnice
IXFH80N65X2
Informații suplimentare
Alte nume
IXFH80N65X2XINACTIVE
IXFH80N65X2X-DG
632463
IXFH80N65X2X
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FCH041N60E
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
130
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCH041N60E-DG
PREȚ UNIC
7.29
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IPW60R045CPFKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
2367
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPW60R045CPFKSA1-DG
PREȚ UNIC
11.45
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IPW60R040C7XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
464
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPW60R040C7XKSA1-DG
PREȚ UNIC
6.74
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
APT77N60BC6
PRODUCĂTOR
Microchip Technology
CANTITATE DISPONIBILĂ
3
DiGi NUMĂR DE PARTE
APT77N60BC6-DG
PREȚ UNIC
10.10
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
SCT3030ALGC11
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
10017
DiGi NUMĂR DE PARTE
SCT3030ALGC11-DG
PREȚ UNIC
21.41
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFN130N30
MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
IXFN300N10P
MOSFET N-CH 100V 295A SOT227B
IXTA180N055T
MOSFET N-CH 55V 180A TO263
IXTQ280N055T
MOSFET N-CH 55V 280A TO3P