Numărul de produs al producătorului:
IXFH6N100F
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFH6N100F-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Descriere detaliată:
N-Channel 1000 V 6A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247 (IXFH)
Inventar:
12808977
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFH6N100F Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, F Class
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.9Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1770 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
180W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247 (IXFH)
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IXFH6
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STW7N105K5
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
554
DiGi NUMĂR DE PARTE
STW7N105K5-DG
PREȚ UNIC
1.44
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
V30365-T1-GE3
MOSFET N-CH SMD
IPI45N06S4L08AKSA1
MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
TP2522N8-G
MOSFET P-CH 220V 260MA TO243AA
