Numărul de produs al producătorului:
IXFH69N30P
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFH69N30P-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 300V 69A TO247AD
Descriere detaliată:
N-Channel 300 V 69A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Inventar:
300 Piese Noi Originale În Stoc
12820192
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFH69N30P Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
300 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
69A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
49mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4960 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
500W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247AD (IXFH)
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IXFH69
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFN100N20
MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B
IXFK140N20P
MOSFET N-CH 200V 140A TO264AA
IXTK100N25P
MOSFET N-CH 250V 100A TO264
