Numărul de produs al producătorului:
IXFH60N65X2-4
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFH60N65X2-4-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 60A TO247-4L
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 60A (Tc) 780W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Inventar:
33 Piese Noi Originale În Stoc
12821372
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
XedE
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFH60N65X2-4 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X2
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
108 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6300 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
780W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247-4L
Pachet / Carcasă
TO-247-4
Numărul de bază al produsului
IXFH60
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFX44N60
MOSFET N-CH 600V 44A PLUS247
IXTF1N400
MOSFET N-CH 4000V 1A I4PAC
IXFH270N06T3
MOSFET N-CH 60V 270A TO247
