Numărul de produs al producătorului:
IXFH50N85X
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFH50N85X-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 850V 50A TO247
Descriere detaliată:
N-Channel 850 V 50A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventar:
1126 Piese Noi Originale În Stoc
12821192
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFH50N85X Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
850 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
105mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
152 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4480 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
890W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247 (IXTH)
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IXFH50
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTV130N15T
MOSFET N-CH 150V 130A PLUS220
IXFK400N15X3
MOSFET N-CH 150V 400A TO264
IXFT58N20Q
MOSFET N-CH 200V 58A TO268
