Numărul de produs al producătorului:
IXFH26N65X2
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFH26N65X2-DG
Descriere:
IXFH26N65X2
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 26A (Tc) 460W (Tc) Through Hole TO-247 (IXFH)
Inventar:
168 Piese Noi Originale În Stoc
13270971
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFH26N65X2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X2
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2450 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
460W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247 (IXFH)
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IXFH26
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
238-IXFH26N65X2
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTA1R6N100D2-TRL
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263
IXTQ3N150M
MOSFET N-CH 1500V 1.83A TO3PFP
IXTT140N075L2HV
MOSFET N-CH 75V 140A TO268HV