Numărul de produs al producătorului:
IXFH170N25X3
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFH170N25X3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 250V 170A TO247
Descriere detaliată:
N-Channel 250 V 170A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventar:
12821812
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFH170N25X3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X3
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7.4mOhm @ 85A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
13500 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
960W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247 (IXTH)
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IXFH170
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTA10P50P-TRL
MOSFET P-CH 500V 10A TO263
IXTP20N65X
MOSFET N-CH 650V 20A TO220
IXFK80N50P
MOSFET N-CH 500V 80A TO264AA
