Numărul de produs al producătorului:
IXFH150N17T2
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFH150N17T2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 175V 150A TO247AD
Descriere detaliată:
N-Channel 175 V 150A (Tc) 880W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Inventar:
29 Piese Noi Originale În Stoc
12914686
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFH150N17T2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, TrenchT2™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
175 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
233 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
14600 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
880W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247AD (IXFH)
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IXFH150
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI1302DL-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
SI7392DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
SI2303BDS-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
