Numărul de produs al producătorului:
IXFH120N15P
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFH120N15P-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 150V 120A TO247AD
Descriere detaliată:
N-Channel 150 V 120A (Tc) 600W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Inventar:
629 Piese Noi Originale În Stoc
12915649
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFH120N15P Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
150 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4900 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
600W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247AD (IXFH)
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IXFH120
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BUK7Y59-60EX
MOSFET N-CH 60V 17A LFPAK56
PSMN2R8-25MLC,115
MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
IXFA4N100Q-TRL
MOSFET N-CH 1000V 4A TO263