IXFH110N10P
Numărul de produs al producătorului:

IXFH110N10P

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXFH110N10P-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 100V 110A TO247AD
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 110A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)

Inventar:

12914947
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IXFH110N10P Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3550 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
480W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247AD (IXFH)
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
IXFH110

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Pachet standard
30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
littelfuse

VMO650-01F

MOSFET N-CH 100V 690A Y3-DCB

vishay-siliconix

SI7738DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8

littelfuse

IXTA44P15T

MOSFET P-CH 150V 44A TO263

vishay-siliconix

SI2316BDS-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3