Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
IXFC80N10
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXFC80N10-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 80A ISOPLUS220
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 230W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™
Inventar:
RFQ Online
12820642
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXFC80N10 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
HiPerFET™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
12.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4800 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
230W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
ISOPLUS220™
Pachet / Carcasă
ISOPLUS220™
Numărul de bază al produsului
IXFC80N10
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
IXFC80N10-DG
Fișe tehnice
IXFC80N10
Informații suplimentare
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXTP80N10T
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
10193
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTP80N10T-DG
PREȚ UNIC
1.42
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFN140N25T
MOSFET N-CH 250V 120A SOT227B
IXKR47N60C5
MOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247
IXFC26N50
MOSFET N-CH 500V 23A ISOPLUS220
IXTJ6N150
MOSFET N-CH 1500V 3A TO247