IXFA8N65X2
Numărul de produs al producătorului:

IXFA8N65X2

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXFA8N65X2-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 650V 8A TO263
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 150W (Ta) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

RFQ Online
13270732
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
x90f
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IXFA8N65X2 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X2
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
790 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
150W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-263 (D2PAK)
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
IXFA8N65

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
IXF(Y,A,P)8N65X2 Building, Home Automation Appl Guide

Informații suplimentare

Alte nume
238-IXFA8N65X2
Pachet standard
50

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
taiwan-semiconductor

TSM018NB03CR RLG

MOSFET N-CH 30V 29A/194A 8PDFN

littelfuse

IXFP18N65X2M

MOSFET N-CH 650V 18A TO220

taiwan-semiconductor

TSM080NB03CR RLG

MOSFET N-CH 30V 14A/59A 8PDFN

taiwan-semiconductor

TSM052NB03CR RLG

MOSFET N-CH 30V 17A/90A 8PDFN