Numărul de produs al producătorului:
IRFH8316TRPBF-IR
Product Overview
Producător:
International Rectifier
DiGi Electronics Cod de parte:
IRFH8316TRPBF-IR-DG
Descriere:
IRFH8316 - HEXFET POWER MOSFET
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 27A (Ta), 50A (Tc) 3.6W (Ta), 59W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventar:
6260 Piese Noi Originale În Stoc
12942882
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRFH8316TRPBF-IR Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Ambalare
Bulk
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
27A (Ta), 50A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.95mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 50µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3610 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.6W (Ta), 59W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-PQFN (5x6)
Pachet / Carcasă
8-PowerTDFN
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2156-IRFH8316TRPBF-IR
IFEIRFIRFH8316TRPBF
Pachet standard
866
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
Not applicable
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FCH041N65F
N-CHANNEL, MOSFET
IRLU3802PBF
HEXFET POWER MOSFET
2SK3495-AZ
MOSFET N-CH
