Numărul de produs al producătorului:
IRF1010ZPBF
Product Overview
Producător:
International Rectifier
DiGi Electronics Cod de parte:
IRF1010ZPBF-DG
Descriere:
IRF1010 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Descriere detaliată:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
350 Piese Noi Originale În Stoc
12946961
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IRF1010ZPBF Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Ambalare
Bulk
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
55 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2840 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
140W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220AB
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IFEIRFIRF1010ZPBF
2156-IRF1010ZPBF-IR
Pachet standard
320
Clasificare de Mediu și Export
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FDD8882
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
FDMS8023S
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
FDB029N06
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
