AUIRFU8401
Numărul de produs al producătorului:

AUIRFU8401

Product Overview

Producător:

International Rectifier

DiGi Electronics Cod de parte:

AUIRFU8401-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 40V 100A I-PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 79W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventar:

8142 Piese Noi Originale În Stoc
12946210
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

AUIRFU8401 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Ambalare
Bulk
Serie
HEXFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.25mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 500µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2200 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
79W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
I-PAK
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Fișa de date și documente

Informații suplimentare

Alte nume
INFIRFAUIRFU8401
2156-AUIRFU8401
Pachet standard
457

Clasificare de Mediu și Export

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
fairchild-semiconductor

FCP9N60N

MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3

fairchild-semiconductor

FDMC0202S

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

renesas-electronics-america

2SJ356(0)-T1-AY

2SJ356 - SIGNAL DEVICE

international-rectifier

IRFSL7730PBF

IRFSL7730 - 12V-300V N-CHANNEL P