Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
SPU02N60S5BKMA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
SPU02N60S5BKMA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO251-3
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-21
Inventar:
RFQ Online
12807456
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SPU02N60S5BKMA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 80µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
240 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
25W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO251-3-21
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numărul de bază al produsului
SPU02N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
SPU02N60S5BKMA1-DG
Fișe tehnice
SPU02N60S5BKMA1
Informații suplimentare
Alte nume
2156-SPU02N60S5BKMA1
SP000012422
SPU02N60S5-DG
SPU02N60S5X
INFINFSPU02N60S5BKMA1
SPU02N60S5
SPU02N60S5IN-DG
SPU02N60S5XK
SPU02N60S5IN
Pachet standard
75
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFUC20PBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
7
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFUC20PBF-DG
PREȚ UNIC
0.60
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STD3N62K3
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
3586
DiGi NUMĂR DE PARTE
STD3N62K3-DG
PREȚ UNIC
0.36
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIPC08N60C3X1SA1
TRANSISTOR N-CH
SIPC14N60C3X1SA1
TRANSISTOR N-CH
IRF6629TRPBF
MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
IRLB8314PBF
MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3