Numărul de produs al producătorului:
SPP80N06S2L-07
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
SPP80N06S2L-07-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 210W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventar:
12807259
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SPP80N06S2L-07 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
55 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 150µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4210 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
210W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3-1
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
SPP80N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SPP80N06S2L07
SP000012823
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STP80NF55-06
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
999
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP80NF55-06-DG
PREȚ UNIC
1.54
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
DMTH6010SCT
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
50
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMTH6010SCT-DG
PREȚ UNIC
0.54
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFSL3207
MOSFET N-CH 75V 180A TO262
IRLR7833CTRRPBF
MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
IRLR7843PBF
MOSFET N-CH 30V 161A DPAK