Numărul de produs al producătorului:
SPP21N50C3XKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
SPP21N50C3XKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 21A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 21A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventar:
2469 Piese Noi Originale În Stoc
12808074
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SPP21N50C3XKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Not For New Designs
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2400 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
208W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3-1
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
SPP21N50
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SPP21N50C3XKSA1-DG
SP000681066
448-SPP21N50C3XKSA1
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STP40N60M2
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
1000
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP40N60M2-DG
PREȚ UNIC
2.86
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SPU11N10
MOSFET N-CH 100V 10.5A TO251-3
SPS04N60C3BKMA1
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3
SPP100N04S2-04
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
