Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
SPP21N50C3HKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
SPP21N50C3HKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 560V 21A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 560 V 21A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventar:
RFQ Online
12806469
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SPP21N50C3HKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
560 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2400 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
208W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3-1
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
SPP21N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
SPP21N50C3HKSA1-DG
Fișe tehnice
SPP21N50C3HKSA1
Informații suplimentare
Alte nume
SPP21N50C3IN-NDR
SPP21N50C3X
SPP21N50C3IN-DG
SPP21N50C3IN
SPP21N50C3XTIN-DG
SPP21N50C3
SPP21N50C3XK
SPP21N50C3XTIN
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
STP20NK50Z
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
1738
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP20NK50Z-DG
PREȚ UNIC
2.68
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
IRF830APBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
5605
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF830APBF-DG
PREȚ UNIC
0.59
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STP19NM50N
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
976
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP19NM50N-DG
PREȚ UNIC
1.75
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STP28NM50N
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP28NM50N-DG
PREȚ UNIC
3.04
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
STP23NM50N
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
STP23NM50N-DG
PREȚ UNIC
2.26
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRL3402PBF
MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB
SPP21N10
MOSFET N-CH 100V 21A TO220-3
IRL3714ZL
MOSFET N-CH 20V 36A TO262
IPW60R180P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3