Numărul de produs al producătorului:
SPP15P10PHXKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
SPP15P10PHXKSA1-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3
Descriere detaliată:
P-Channel 100 V 15A (Tc) 128W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventar:
12808201
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SPP15P10PHXKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
SIPMOS®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
240mOhm @ 10.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 1.54mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1280 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
128W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
SPP15P
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SPP15P10PH
2156-SPP15P10PHXKSA1
IFEINFSPP15P10PHXKSA1
SP000683160
SPP15P10P H-DG
SPP15P10P H
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF5210PBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
6302
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF5210PBF-DG
PREȚ UNIC
1.00
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SPP15N60CFDHKSA1
MOSFET N-CH 650V 13.4A TO220-3
SPP100N04S2L-03
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
SPB42N03S2L-13
MOSFET N-CH 30V 42A TO263-3