Numărul de produs al producătorului:
SPP15N60C3XKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
SPP15N60C3XKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventar:
451 Piese Noi Originale În Stoc
12807742
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SPP15N60C3XKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
Tube
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 675µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1660 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
156W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3-1
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
SPP15N60
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SPP15N60C3
SPP15N60C3IN-DG
SP000681050
SPP15N60C3IN
SPP15N60C3X
SPP15N60C3XK
SPP15N60C3XKSA1-DG
448-SPP15N60C3XKSA1
SPP15N60C3-DG
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRLR024ZPBF
MOSFET N-CH 55V 16A DPAK
IRLI2203N
MOSFET N-CH 30V 61A TO220AB FP
SPP100N06S2-05
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
