Numărul de produs al producătorului:
SPP02N60C3XKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
SPP02N60C3XKSA1-DG
Descriere:
LOW POWER_LEGACY
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventar:
12805764
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SPP02N60C3XKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 80µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
12.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
200 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
25W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3-1
Pachet / Carcasă
TO-220-3
Numărul de bază al produsului
SPP02N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
INFINFSPP02N60C3XKSA1
SP000681014
2156-SPP02N60C3XKSA1-IT
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPP60R600P7XKSA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPP60R600P7XKSA1-DG
PREȚ UNIC
0.56
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRLS3034-7PPBF
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
IRFR3707TRPBF
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
IRFH4226TRPBF
MOSFET N-CH 25V 30A/70A 8PQFN
