Numărul de produs al producătorului:
SPI80N06S-08
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
SPI80N06S-08-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Descriere detaliată:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventar:
12807020
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SPI80N06S-08 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
SIPMOS®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
55 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 240µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
187 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3660 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO262-3-1
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
SPI80N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SP000054055
SPI80N06S08
SP000084809
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF3205ZLPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
3938
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF3205ZLPBF-DG
PREȚ UNIC
0.67
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF2805LPBF
MOSFET N-CH 55V 135A TO262
SIPC18N60CFDX1SA1
TRANSISTOR N-CH
IRL3803VSPBF
MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
