Numărul de produs al producătorului:
SPI08N50C3XKSA1
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
SPI08N50C3XKSA1-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 560V 7.6A TO262-3
Descriere detaliată:
N-Channel 560 V 7.6A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventar:
12807358
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SPI08N50C3XKSA1 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
560 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
7.6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 350µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
750 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
83W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO262-3-1
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
SPI08N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SPI08N50C3
SPI08N50C3IN-DG
IFEINFSPI08N50C3XKSA1
SPI08N50C3-DG
SPI08N50C3IN
2156-SPI08N50C3XKSA1-IT
SP000680984
SPI08N50C3XK
SPI08N50C3X
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRFSL9N60APBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
900
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFSL9N60APBF-DG
PREȚ UNIC
1.21
TIP SUBSTITUT
Direct
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRLU8113PBF
MOSFET N-CH 30V 94A I-PAK
IRLL024NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
IRF1010NSTRRPBF
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
